不少前来咨询的客户对于阵列式和大功率红外灯容易混淆的问题，所以借此机会，我们不妨对于单芯片LED红外灯、单芯片高能大功率LED红外灯和阵列式红外灯都有哪些区别做一个详细的说明。
1、单芯片LED红外灯
其发光晶片置于与两根管脚相连的灯杯中，一般发光芯片的大小为10、12、14mil，甚至更大。（注：mil为发光芯片的单位，1mil=0.0254mm)
单芯片LED生产工艺简单，品质容易保证、发热量低、发光光学系统合理，是做红外灯理想的器件，理论上使用寿命可达10万小时以上。
单芯片LED灯的寿命事实上，能不能做的很长。这里面原因有很多，比如有的LED芯片级别很低，杂质超标；有的生产工艺不过关，有漏电现象；有的超功率使用，额定20mA，却使用50mA以上；有的没有保护电路，或电路设计不合理，这些都会导致单芯片LED红外灯快速坏掉。

2、单芯片高能大功率红外LED
按LED芯片面积大小分类，常见的有 9 mil*9 mil，20 mil*20 mil，22 mil*22 mil，40 mil*40 mil，60 mil*60 mil，LED芯片面积越大，承受的电流越大，发出的光通量也越多。但是LED芯片面积扩大到一定量时，光通量就无法按比例增大。所以日前常见的LED芯片面积在 15 mil*15 mil以下为小功率，20 mil*20 mil~30 mil*30 mil为中功率LED，面积在40 mil*40 mil以上为 W级功率LED (大功率LED)。

3、阵列式LED红外补光灯
也叫多芯片LED红外灯，多芯片LED也有两种形式，一种是包含4到8颗芯片；另外一种是阵列式发光片，含有10到30颗芯片，甚至更多。
（下图中的小黑点就是红外发光芯片）为什么做多芯片呢？一些来自厂家的理论是：红外灯照射距离不够是因为能量不够，更多的芯片集合在一起，当然能量就大，想当然地认为照射距离更远。固然，更远的距离需要更大的能量。

多芯片小LED（阵列式）因其结构上的固有缺点没有发光焦点，发光光学系统不合理，有用光效率也比较低，其优点没有有效地发挥出来。比如阵列式LED，电流高达1000mA以上，基本只是一分钱硬币大小，散热就成为一个问题。LED怕的就是高温工作。同时，多芯片LED的生产要求非常严格，每颗芯片都不能有性能上的一点差异，否则就会形成薄弱点，一颗芯片坏掉就会扩散到整机。总体而言，相对于单芯片LED而言，多芯片LED的寿命是远远不够的。尤其是散热是关键。多芯片大功率的情况也是相同的，热量更大，工作环境更严酷。